镁掺杂磷铝分子筛可见光光催化性能的初步研究

采用水热反应的方法合成了金属镁掺杂的磷铝分子筛MgAPO-5,通过XRD、DR UV-Vis、FT-IR等手段对其结构性能进行表征,并以亚甲基蓝溶液为目标降解物,在可见光下考察了MgAPO-5的光催化性能.结果表明,MgAPO-5具有与AlPO4-5相同的分子筛结构,掺杂的镁可能存在于磷铝分子筛的骨架中,在可见光下对亚甲基蓝溶液具有优良的光催化性能,反应5 h,脱色率可达92.5%.     

低阻VDMOSFET的优化设计与制造

文章对9926型双N沟增强型VDMOSFET进行了结构和版图的优化设计。给出了该器件的纵横向结构参数,材料的物理参数和版图总体结构。单胞结构的优化设计使单胞密度达到204万个/cm2,比国际市场现有产品的单胞密度(156万个/cm2)提高了30%。这种设计采用浅n+注入工艺可使器件生产成本下降31%。最后对研制结果进行了分析讨论。     

用方位密度成像测井资料计算水平井钻遇地层倾角的方法

Schlumberger公司的随钻方位密度测井(ADN)可以提供井周16个方位的密度成像资料,为过井眼的地质界面产状的计算提供了方便.对于垂直井或大斜井,当井眼穿过一个有明显电测响应变化的地质界面时,利用井壁成像资料可以方便地描述地质界面的产状;对于水平井,由于井眼轨迹基本与地层平行,井眼轨迹常常只能穿越地层界面.传统的对界面产状的描述方法已不再适用.提出了一种利用方位密度成像测井计算水平井井旁地层产状的方法.希望随着测井新技术的出现不断完善新的解释方法,以提高随钻方位密度测井的使用范围和精度.     

基于进化算法的常减压装置模拟

提出了基于优选优生进化算法（Select—best and prepotency evolution algorithm，SPEA）的常减压装置模拟方法。以各塔的温度分布为目标，基于生产过程和分析数据，采用SPEA确定各塔板Murphree效率，从而精确描述各塔板平衡偏离程度。在实际应用中，获得具有良好精度的常减压装置模型。系统分析了SPEA算法的关键参数——优选领域大小与计算复杂性及寻优性能之间的关系，结果显示其取值为群体规模的10％最为合适。     

油水井措施经济效益分析方法研究

针对油气藏产量下降,经济效益变差的情况,为提高油气井产量,提高油气藏采收率,从经济学的角度出发,确定出了油水井措施效益分析时的各个参数的选定和取法,并建立了措施经济效益评价方法,为实施油水井进一步开发制定相应的决策提供了参考依据.     

日产不锈钢薄钢带的修复

介绍了日产不锈钢薄钢带裂纹的修复方法,通过焊接试验得到了防止裂纹出现的有效焊接工艺参数,其经验可为类似设备的维护使用提供参考。     

推进实验室开放深化实验教学改革

经济社会的发展呼唤着人才培养模式的转变，从高校教育改革发展趋势和学校实验室建设、实验教学改革实际需要出发，进行实验室开放的实践与探索，建立校级实验室开放体系，深化实验教学改革，促进实验室建设与发展。     

基于FFT的循环平稳信号波达方向估计

针对在电子对抗实际应用中，来波信号比较集中的情况，提出一种基于FFT的循环平稳信号DOA估计算法。该算法将FFT引入到Extended Cyclic-MUSIC算法中，预先探索存在信号的空间局部区域，避免了全空间谱峰搜索，提高了波达方向检测效率。仿真结果证明了该算法的有效性。     

软锰矿氧化硫化钡制高纯碳酸锰和氢氧化钡工艺研究

软锰矿同硫化钡溶液在较低温度下进行氧化还原反应，当硫化钡含量控制在26-75g／L范围内，软锰矿与硫化钡的物质的量比为2．5-3，反应时间50-60min，软锰矿被硫化钡还原为MnO，其还原率可达93．5％以上；还原后的锰用硫酸浸取，溶液经除杂后，与碳酸铵反应而制成高纯碳酸锰。硫化钡则被氧化为氢氧化钡，经蒸发、结晶而制得入水氢氧化钡，其回收利用率高速95％。     

SOI光电子集成

SOI（Silicon-on-Insulator)光电子集成已成为十分引人注目的研究课题，其工艺与CMOS工艺完全兼容，可以实现低成本的SOI基整片集成光电子回路。本文综述了近几年来SOI集成光电子器件的发展以及一些最新的研究进展，着重分析几种最新型光无源器件的工作原理和结构，包括SOI光波导、SOI光波导耦合器、SOI光波导开关、相位阵列波导光栅（PAWG）、基于SOI的光探测器等，并介绍了中国科学院半导体所集成光电子国家重点实验室的研究进展。